形式
本體部 檢出元件 InGaAs
IR-FAI□□□
本體部 檢出元件 Si
IR-FAS□□□
集光部形式
名稱
形式
集光部 測定距離和測定徑 100mm時為Ф1mm
IR-FL0□□□□
集光部 測定距離和測定徑 1000mm時為Ф12mm
IR-FL1□□□□
集光部 測定距離和測定徑 500mm時為Ф5mm
IR-FL2□□□□
集光部 測定距離和測定徑 200mm時為Ф2mm
IR-FL3□□□□
集光部 測定距離和測定徑 200mm時為Ф4mm
IR-FL4□□□□
集光部 測定距離和測定徑 150mm時為Ф5mm
IR-FL5□□□□
集光部 測定距離和測定徑 600mm時為Ф20mm
IR-FL6□□□□
集光部 測定距離和測定徑 1000mm時為Ф8mm
IR-FL8□□□□
電源單元形式
名稱
形式
電源單元
IR-ZFEP
標準量程
檢出元件
測定范圍
集光部
InGaAs
150~450℃
200~700℃
250~1000℃
300~1300℃
IR-FL5、IR-FL6
250~1000℃
300~1300℃
350~1600℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
Si
400~900℃
500~1200℃
600~1800℃
700~2400℃
IR-FL5、IR-FL6
600~1800℃
700~2400℃
800~3000℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
規(guī)格
本體部
形式
IR-FAI
IR-FAS
檢出元件
InGaAS
Si
測定波長
1.55µm
0.9µm
精度
1000℃未滿:±5℃
1000℃以上1500℃未滿:測定值的:±0.5%
1500℃以上2000℃未滿:測定值的:±1%
2000℃以上:測定值的±2%
重復性
0.2℃
溫度漂移
0.1℃或測定值的0.015%/℃中大的值
分辨率
0.5℃
響應時間
0.01s
輻射率修正
輻射率設定值:1.999~0.050
信號調制
DELAY:平均值(平滑度)(調制度0.0-99.9s、0.1s/步
任意設定)、調制度0=REAL、
PEAK:最高值(調制度0<
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